Intel ha recentemente ratificato degli accordi inerenti la fabbricazione di chip a 28nm con alcuni tra i principali player taiwanesi del settore, come Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), United Microelectronics (UMC) e Globalfoundries (quest'ultimo annovera come partner abituale AMD).
Più in dettaglio, TSMC si occuperà della fabbricazione, con l'ausilio del processo a 28nm HKMG (High-K Metal Gate, è stato sviluppato dalla stessa Intel), dei nuovi SoC Atom tipicamente indicati con il nome in codice di SoFIA.
Questi chip sono stati progettati da Intel per l'equipaggiamento degli smartphone e dei tablet entry-level; per le soluzioni high-end Intel ha pianificato, invece, l'introduzione degli Atom Broxton, che richiedono un processo più evoluto, a 14nm in tecnologia FinFET, per la fabbricazione.
Globalfoundries e UMC produrranno invece non meglio precisati chip a 28nm, orientati al segmento entry-level, utilizzando un processo a 28nm con tecnologia Poly/SiON (*), che risulta essere particolarmente indicata per i SoC low-power, anche se sostanzialmente superate dalla HKMG, in quanto con l'adozione di quest'ultima è possibile ridurre la corrente di perdita tra l'elettrodo di gate e il canale.
In accordo alla fonte, Intel invierà ulteriori ordini a UMC nella seconda parte del 2014, simultaneamente alla pianificata crescita della capacità produttiva a 28nm del maker taiwanese.
(*) Un transistor fabbricato con la tecnologia Poly/SiON è caratterizzato dalla dotazione di un gate in polisilicio; inoltre l'isolante di gate è realizzato con il nitruro di silicio (SiON) in sostituzione del tradizionale ossido di silicio (SiO2) al fine di ridurre l'intensità della corrente di perdita.
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