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Samsung sviluppa RAM DDR3 a 30nm con la tecnologia 3D TSV

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20.08.2011 - Samsung sviluppa RAM DDR3 a 30nm con la tecnologia 3D TSV

Samsung Electronics ha annunciato il completamento della fase di sviluppo, con la conseguente disponibilità dei primi sample engineering, di nuovi moduli di RAM DDR3 di tipo Registered Dual Inline Memory Modules (RDIMMs) caratterizzati da una capacità di 32GB e finalizzati all'impiego nei sistemi di tipo server ad elevate prestazioni.

I nuovi moduli di RAM realizzati da Samsung si fanno notare non soltanto per la considerevole capacità di memorizzazione, ma anche per le alte performance, dal momento che vantano un data rate massimo pari a 1.333MB/s, e dunque superiore di circa il 67% a quello assicurato dalle corrispondenti soluzioni attuali, e, nello stesso tempo, per il consumo di potenza molto ridotto, e pari nello specifico a 4.5W/h.

Samsung è riuscita a coniugare esigenze e aspetti contrastanti, come le prestazioni da un lato e il basso consumo di potenza dall'altro, e ottenere nel contempo moduli di grande capacità, grazie alla tecnologia di fabbricazione di tipo 3D TSV (Through Silicon Via), che utilizza un processo a 30nm.

Samsung non ha ancora fornito alcuna tempistica ufficiale in merito al passaggio in produzione dei nuovi moduli RDIMM.


[Immagine ad alta risoluzione]

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